반도체12 반도체 시험 단골 gate length와 roll off에 대한 이해. gate channel length and threshold voltage roll off. 반도체 시험과 면접 문제에 단골로 등장하는 것이 MOSFET의 gate length와 roll off 입니다. 두 내용을 각각 따로 설명하고 따로 이해해도 문제도 없습니다. 하지만 해당 내용을 하나의 스토리로 엮어서 설명을 할 수 있다면 더 높은 점수를 얻으실 수 있습니다. Gate length 설명을 시작으로 roll off에 대한 이야기로 설명을 진행 해 보겠습니다. MOSFET은 gate라고 불리는 수문으로 전자 혹은 홀 (정공) (영어로는 electron과 hole)이 source에서 drain으로 이동하는 것을 제어하고 있습니다. Source에서 drain까지의 전체 길이에 대해 gate가 관여하고 있으며, 이 gate의 길이를 gate length라고 부르고 있습니다. gate channel .. 2020. 5. 17. lithography EUV 공정에 대한 기초 설명 반도체 공정 중 lithography에 대해서 간략하게 정리 해 보고자 합니다. 반도체 공정에는 다양한 공정이 있습니다. 각 공정 별 설명을 할 예정이고, 이번 포스팅에서는 lithography에 대해서 먼저 정리 해 보고자 합니다. Si위에 SiO2 산화막을 길렀다면 이제 원하는 모양으로 산화막을 만들어야 합니다. 특정 부분은 산화막을 지워야 하고, 특정 부분은 살려서 또 다른 용도로 사용하기 위함입니다. 즉 아파트 단지를 설계하기 위해 땅에다가 표시를 하고 설계도를 그려야 하는데 그 작업을 이 lithography에서 진행을 하게 됩니다. Photolithography라고도 불립니다. 이 공정이 매우 작게 그리고 무조건적으로 정확하게 진행이 되어야 집적도가 높은 반도체를 생산할 수 있게 됩니다. Li.. 2020. 5. 4. time dependent dielectric breakdown TDDB 반도체 신뢰성에 대한 설명 및 간략한 mechanism 설명 반도체 신뢰성 분야 공부를 하다 보면 가장 기본적인 것이 oxide quality 평가 입니다. SiO2라는 기가 막힌 dielectric 물질의 사용과 해당 물질의 기가 막힌공정 quality 덕분에 oxide가 특수하게 얇지 않은 이상 dielectric 층으로써 매우 훌륭하게 본연의 역할을 MOSFET안에서 수행하고 있습니다. 하지만MOSFET의 구조 변화와 특성 개선의 이유로 다양한 공정이 추가 되고 있는 상황이기 때문에 MOSFET에 사용되는 oxide quality 평가의 중요성은 지속적으로 증가하고 있습니다. MOSFET에 사용되는 oxide의 역할이 도대체 뭐길래 이렇게 중요하다고 이야기 하고 있는지 간단하게 설명을 해 보겠습니다. MOSFET의 oxide층 즉SiO2층은 gate에서 su.. 2020. 5. 3. Energy band diagram program 추천. 이렇게 쉽게 에너지 밴드 다이어그램을 그릴 수 있습니다. 프로그램 추천 반도체를 공부하는 학생이나, 반도체를 업으로 살고 있는 사람들에게는 energy band diagram 에너지 밴드 다이어그램을 자주 접하고, 또 자주 그리고 있을 것입니다. 매번 손으로 그리고, 원하는 단자에 전압을 인가했을 때 변화하는 fermi level과 intrinsic level과의 변동 폭 등을 확인하기 위해 그림을 여러 번 그리는 경우가 다양하게 발생합니다. 그래서, energy band diagram을 쉽게 그리는 프로그램을 소개하고자 합니다. 이에 앞서, Energy band diagram을 그릴 수 있는 tool을 먼저 몇 가지 소개해 보고자 합니다. 가장 쉽게 energy band diagram을 그릴 수 있는 방법은 파워포인트 ppt나 손으로 그리는 것이 가장 쉽습니다. 다만 지식.. 2020. 4. 26. 반도체 측정 장비 소개 및 반도체 측정 장비 산업의 현 주소 반도체 측정 장비에 대해서 소개해 보고자 합니다. 반도체 측정 장비는 구글 검색과 한국과학기술정보연구원 기술동향 자료, the semicon 반도체 전문지를 참고하여 작성하였습니다. 반도체는 wafer위에 chip 형태로 제작이 되며 제작된 chip의 동작 이상 유무와 반도체 소자의 특성을 분석하기 위해 공정 완료 후 측정 평가를 진행하게 됩니다. keithley, keysight, NI STS시리즈 들이 주로 사용되고 있으며, 대학교에서도 쉽게 찾아볼 수 있는 측정 장치입니다. 최근에는 자동차에도 반도체가 많이 사용됨에 따라 반도체 측정용 MDA800 시리즈와 같은 분석기의 관심도 또한 높아지고 있습니다. 특히 예전에는 단순한 작업의 측정 평가만이 이루어졌다면, 이제는 다목적 복합 동작에 대한 여러 상.. 2020. 4. 16. 우리나라 비메모리 세계 매출 순위 와 메모리 세계 매출 순위 확인 반도체는 휴대폰, 태블릿, 컴퓨터, 가전, 자동차, 의료기기 등 우리가 흔히 말하는 모든 전자제품에 다 들어 가 있습니다. 이 반도체는 때로는 nand flash, dram, cpu 등으로 다르게 불리고 있습니다. 더 큰 분류로는 메모리 반도체와 비메모리 반도체로 나뉠 수 있습니다. 최근 반도체 관련하여 투자에 대한 관심이 많아지고 있고 또 반도체 관련 학과가 생김에 따라 우리나라 기업의 반도체 순위가 세계에서 몇위인지, 상위 기업에는 어떤 기업이 있는지 관심이 급증하고 있습니다. 따라서 매출을 기준으로 순위를 정리한 자료를 이용하여 정리를 해 보았습니다. 2018년에서 2019년에 거쳐 순위 변동이 있었습니다. 해당 순위는 메모리, 비메모리로 나눈 것이 아닌 sales순으로 나열된 결과입니다. 2018.. 2020. 4. 13. 반도체 소자 트랜지스터 전류 특성 개선 방법 반도체 소자 트랜지스터의 특성을 개선 시키기 위해서 다양한 연구가 옛날부터 진행되어 왔습니다. 전류는 아래 수식으로 이루어져 있기 때문에 쉽게 어떤 것을 변경 시키면 특성을 개선할 수 있는지 알 수 있습니다. 아래 수식은 대학교 교과서와 구글에서 발췌하였습니다. u는 mobility를 의미하고 Cox는 oxide capacitance를, W/L는 channel의 width와 length를 의미합니다. 직접도를 높여야 하기 때문에 L을 최대한 줄여서 전류의 특성을 개선 할 수 있습니다. L이 줄어들게 되면 전류 특성 개선을 분명 볼 수 있지만, channel 수평 방향으로 electric field가 증가하기 때문에 증가된 electric field로부터 힘을 얻은 carrier가 트랜지스터에 악영향을 미.. 2020. 4. 11. 반도체 직접도 증가 이유 그리고 그 방법에 대한 간략한 소개 반도체 공부를 하다 보면 직접도의 증가 그리고 지속적인 gate channel length의 감소가 요구되고 있음을 알 수 있습니다. 단순히 트랜지스터의 특성 개선이 필요하기 때문에 작아져야 한다 로 이해할 수도 있지만, 돈을 더 많이 벌기 위함도 있습니다. 물론 트랜지스터의 특성 개선을 위해서 작게 만드는 것도 맞습니다. 다만 돈을 벌기 위해서 작게 만들 수밖에 없는 것도 있습니다. -. 반도체는 왜 작게 만들어야 하나요? 트랜지스터는 실리콘 웨이퍼 위에 제작됩니다. 피자 도우를 생각하시면 됩니다. 한 판의 피자위에 정사각형 칩 (chip)을 만들어 판다고 가정해 봅시다. 그리고 이 한 판의 피자 위에는 정사각형 칩 10개를 만들 수 있다고 가정하겠습니다. 이때 피자 도우의 크기는 정해져 있는데 남들보.. 2020. 4. 7. 이전 1 2 다음
