반도체 신뢰성1 반도체 신뢰성 hot carrier effect는 회로에 어떤 영향을 주는가 section 2 Electron이 gate oxide에 trapping되어 발생하는 hot carrier 현상이 회로 동작에서 어떤 영향을 미치는지 간단하게 알아볼 수 있습니다. 바로 invertor 동작에서 확인이 가능합니다. 위 그림에서 hot carrier 발생 영역이라고 표기한 부분은 invertor에서 NMOSFET이 켜질 때입니다. 즉 NMOSFET이 적절한 timing에서 켜지지 못하면 Vout의 감소 level의 timing에 변화가 생기게 됩니다. 아래 그림에서 알 수 있듯이, NMOSFET이 적절한 타이밍에 켜지지 않기 때문에 Vout의 감소 timing에 차이가 발생함을 알 수 있습니다. 역으로 Vout에서 해당 시간에 0을 만들어야 하는데, NMOSFET의 hot carrier 열화로 특정 timi.. 2020. 4. 21. 이전 1 다음
